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當時是旺宏參考一下下列新聞下世代技術架構呼之欲出 旺宏將因擁有IP大受其惠NAND型快閃記憶體(Flash)架構一直是全球DATA Flash市場主流
就連DATA Flash技術霸主東芝(Toshiba)亦仍舊採用NAND Flash架構
不過
日前東芝在日本所舉行VLSI座談會上提到
將轉向採用3D架構技術以提高NAND Flash容量
而該技術與旺宏先前所公開展示BE-SONOS技術相當雷同
一旦業界開始採用3D架構
未來旺宏將有機會藉由BE-SONOS賺取大量權利金。
至於何時會開始採用3D架構生產
東芝則未正面回應。
記憶體業界多已有體認
既有NAND Flash晶片技術到45奈米製程技術世代時
便會遭遇物理極限瓶頸
而當前旺宏所獨有BE-SONOS
可能是業界最可行的新世代NAND Flash晶片技術。
由於旺宏擁有此技術及專利
因此
未來除與旺宏有機會成為合作夥伴的奇夢達(Qimonda)外
任何廠商欲採用此技術生產DATA Flash晶片
均需經過旺宏授權
並給予實際銷售額約3%權利金才行。
記憶體業者表示
BE-SONOS係以3D架構為基礎
單一晶片容量理論值可達100GB
是NAND Flash晶片取代傳統硬碟最佳方案
未來若被廣泛採用
光是相關權利金
就可讓旺宏「躺著賺也賺不完」
若加計其它儲存產品獲消費性電子產品應用
商機將無遠弗界
而這亦是東芝到此時不得不開始加緊腳步、快速切入SONOS研發領域的原因。
不過
東芝還未對外證實何時會開始採用SONOS技術量產DATA Flash產品
也沒有提到會做到怎樣的容量及可能面臨的挑戰
一切都還僅限於技術研發階段
離真正量產時間點還有一段距離。
至於另1大廠三星電子(Samsung Electronics)亦做出一種類似SONOS技術
代號為Tanos。
三星對外聲稱
已到最後收尾階段
再過幾個月應可進入量產階段
目前得知三星將會在2008年正式開始投產Tanos的DATA Flash產品。
旺宏方面
董事長吳敏求日前對外表示
儘管短期內不會開始採用BE-SONOS量產Flash商品
但預計到2010年左右
將有機會採用45奈米製程投產BE-SONOS架構DATA Flash商品。
值得注意的是
目前生產NAND Flash主要來自於Floating gate技術
而SONOS幾乎與Floating gate同時被發展出來
只是當時的SONOS由於進入大量生產
還有一段瓶頸需要克服
因此
幾乎沒有業者繼續發展下去
直到近期發現未來要進入45奈米製程以下
若不採用SONOS技術
勢必有其物理極限無法克服
因此
業者遂硬著頭皮展開研發
希望讓SONOS技術早日進入商業化階段。
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參考:http://tw.knowledge.yahoo.com/question/question?qid=1007072002529如有不適當的文章於本部落格,請留言給我,將移除本文。謝謝!